微纳光刻加工厂——广东省科学院半导体研究所是广东省科学院下属骨干研究院所之一，主要聚焦半导体产业发展的应用技术研究，兼顾重大技术应用的基础研究，立足于广东省经济社会发展的实际需要，从事电子信息、半导体领域应用基础性、关键共性技术研究，以及行业应用技术开发。
光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一。
普通的光刻胶在成像过程中，由于存在一定的衍射、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度，从而降低了图形的分辨率。随着加工特征尺寸的缩小，器件光刻定制服务价格，入射光的反射和散射对提高图形分辨率的影响也越来越大。为了提高系统分辨率的性能，人们正在研究在光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入，可明显减小光刻胶表面对入射光的反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能，但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。伴随着新一代技术（NGL）的研究与发展，为了更好的满足其所能实现光刻分辨率的同时，光刻胶也相应发展。**技术对光刻胶的性能要求也越来越高。
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光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。
光刻胶是光刻工艺中关键材料，国产替代需求紧迫。光刻工艺是指在光照作用下，借助光刻胶将掩膜版上的图形转移到基片上的技术，在半导体制造领域，随着集成电路线宽缩小、集成度大为提升，光刻工艺技术难度大幅提升，成为延续摩尔定律的关键技术之一。同时，器件和走线的复杂度和密集度大幅度提升，制程关键层次需要两次甚至多次来实现。其中，光刻胶的质量和性能是影响集成电路性能、成品率及可靠性的关键因素。光刻胶经过几十年不断的发展和进步，应用领域不断扩大，衍生出非常多的种类。不同用途的光刻胶光源、反应机理、制造工艺、成膜特性、加工图形线路的精度等性能要求不同，湖南器件光刻定制，导致对于材料的溶解性、耐蚀刻性、i感光性能、耐热性等要求不同。因此每一类光刻胶使用的原料在化学结构、性能上都比较特殊，器件光刻定制加工，要求使用不同品质等级的光刻胶。
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接触式具有分辨率高、复印面积大、复印精度好、设备简单、操作方便和生产等特点。
光刻技术是集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将电路图形传递到单晶表面或介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术。随着半导体技术的发展，光刻技术传递图形的尺寸限度缩小了2～3个数量级（从毫米级到亚微米级），已从常规光学技术发展到应用电子束、 X射线、微离子束、激光等新技术；使用波长已从4000埃扩展到 0.1埃数量级范围。光刻技术成为一种精密的微细加工技术。光刻技术是指在光照作用下，借助光致抗蚀剂（又名光刻胶）将掩膜版上的图形转移到基片上的技术。其主要过程为：首先紫外光通过掩膜版照射到附有一层光刻胶薄膜的基片表面，引起区域的光刻胶发生化学反应；再通过显影技术溶解去除区域或未区域的光刻胶（前者称正性光刻胶，后者称负性光刻胶），使掩膜版上的图形被到光刻胶薄膜上；后利用刻蚀技术将图形转移到基片上。
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